北京时间03月08日消息，中国触摸屏网讯，国星光电加码LED芯片业务 拟2.2亿元增资国星半导体。3月6日，国星光电发布公告称，公司拟以自有资金2.2亿元对国星半导体进行增资，本次增资完成后国星半导体注册资本由6亿元增加至8.2亿元。 公告显示，国星半导体主要从事于LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和灯具产品、半导体光电产品的生产、研发、销售。其2019年及2020年1-9月实现营收分别为3.21亿元、1.32亿元；对应的净利润分别为-8467.43万元、-3992.63万元。 国星光电表示，国星半导体是公司全力推进“立足封装，做大做强，兼顾上下游垂直一体化发展”战略的重要支撑，公司本次增资主要用于国星半导体实施技改项目，具体应用包括购买相关设备、原材料、补充流动资金等，增资意在促进公司LED上游芯片业务端发展，有助于进一步优化上游芯片产品结构，增强业务盈利能力，深化发挥产业链协同效应，对公司综合竞争实力及抗风险能力的提升起到重要作用。 不过，国星光电也认为，增资完成后国星半导体在实际经营过程中可能受到政策变化、市场竞争、经营管理等风险因素影响，投资收益可能存在不确定性。公司将持续加强对国星半导体的资金管理和对外投资风险的管理，通过专业化的运作和管理等方式积极防范和降低相关风险。
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国星光电加码LED芯片业务 拟2.2亿元增资国星半导体
3月6日，国星光电发布公告称，公司拟以自有资金2.2亿元对国星半导体进行增资，本次增资完成后国星半导体注册资本由6亿元增加至8.2亿元。
公告显示，国星半导体主要从事于LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和灯具产品、半导体光电产品的生产、研发、销售。其2019年及2020年1-9月实现营收分别为3.21亿元、1.32亿元；对应的净利润分别为-8467.43万元、-3992.63万元。
国星光电表示，国星半导体是公司全力推进“立足封装，做大做强，兼顾上下游垂直一体化发展”战略的重要支撑，公司本次增资主要用于国星半导体实施技改项目，具体应用包括购买相关设备、原材料、补充流动资金等，增资意在促进公司LED上游芯片业务端发展，有助于进一步优化上游芯片产品结构，增强业务盈利能力，深化发挥产业链协同效应，对公司综合竞争实力及抗风险能力的提升起到重要作用。
不过，国星光电也认为，增资完成后国星半导体在实际经营过程中可能受到政策变化、市场竞争、经营管理等风险因素影响，投资收益可能存在不确定性。公司将持续加强对国星半导体的资金管理和对外投资风险的管理，通过专业化的运作和管理等方式积极防范和降低相关风险。
国星光电与包头稀土研发中心共建联合实验室 聚焦稀土共晶荧光体半导体激光器
国星光电与中国科学院包头稀土研发中心签署了共建联合实验室合作协议，共建“国星光电研究院-中科院包头稀土研发中心联合实验室”。
联合实验室将利用包头市稀土特色产业及佛山市光电产业技术优势，开展稀土共晶荧光体及其在半导体激光器封装应用关键技术研究。
中国科学院包头稀土研发中心于2015年5月12日挂牌成立，聚焦稀土产业最新成果，实施高技术跟踪计划，已开展了稀土共晶荧光体、稀土金属复合除氟除砷吸附剂、稀土化学位移试剂等15项高技术跟踪项目。建设中试示范线，建立了稀土硫化物、稀土特种钢、稀土储氢合金等10条成果转化中试示范线，推进科技成果走出实验室并加速转化。
今年1月，国星光电发布业绩预告称，公司预计2020年度归属于上市公司股东的净利润为8971.70万元-11418.53万元，同比下降72%-78%。上年同期盈利为40780.46万元。
国星光电改善Mini-LED发光角度
国星光电表示，其Mini LED芯片已具备量产能力，公司将根据市场情况实施扩产计划。国星光电积极与国际知名显示厂商联手合作，已成为某国际大厂进入Mini LED超高清显示领域首个认证通过的供应商。
Mini LED指大小为50～200μm的LED，又称为次毫米发光二极管。Mini LED是近年来LED技术发展的主力，被广泛地应用到背光、VR屏幕、手机显示屏小型显示屏等领域。然而，由于其发光角小，使其难以应用在较大规格的屏幕上。
为此，国星光电于2020年5月15日申请了一项名为“大发光角度倒装Mini-LED芯片及其制备方法”的发明专利（申请号: 202010413988.X）,申请人为佛山市国星半导体技术有限公司。
图1 大发光角度倒装Mini-LED芯片结构示意图
图1为大发光角度倒装Mini-LED芯片结构示意图，包括倒装LED芯片本体1和折射层2。其中，倒装LED芯片本体1又包括衬底11和发光结构，发光结构位于衬底11正面，折射层2位于衬底11背面。折射层2由多个棱台21和/或多个锥台22组成，棱台21、锥台22的底面与衬底11连接。发光结构产生的光线从衬底11射出后，经由棱台21/锥台22的侧面和顶面射出。这种棱台/锥台结构，使原先由衬底平坦背面射出的光线变为从棱台/锥台侧面和顶面射出，有效拓宽了Mini-LED芯片的发光角度。
以折射层2由多个棱台21组成为例。棱台21由干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺形成，多个棱台21间距均匀分布，相邻棱台间的距离为0.5～2μm。棱台21的形状一般为四棱台或六棱台，其形状与衬底11的材质以及刻蚀工艺有关，当采用蓝宝石衬底时，经过湿法蚀刻后形成六棱台；当采用硅衬底时，经过湿法蚀刻后，形成四棱台。一般优选六棱台，这种棱台侧面个数多，有利于拓宽Mini-LED的发光角度。
当棱台21的宽度＞10μm时，棱台数目较少，无法有效提升发光角度；宽度＜3μm时，刻蚀工艺难度高。因此棱台21的宽度一般为3～10μm，优选为5～8μm。其中当棱台21底面的边数≤4条时，棱台21的宽度是最长边的宽度；底面的边数≥5条时，其宽度是距离最远的两个端点之间线段的宽度。当棱台21的高度＞2μm时，棱台21底角过大，无法有效提升发光角度,高度＜0 .5μm时，棱台底角过小，光线由于无法折射通过棱台侧面而被全反射，即无法起到提升发光角度的作用，因此棱台21的高度为0 .5～2μm
为了进一步提升倒装Mini-LED芯片的发光角度，在折射层2的上方还设有遮挡层。遮挡层位于棱台21/锥台22的顶面，可有效防止光线从棱台21和/或锥台22的顶面射出，保证光线仅从棱台21和/或锥台22的侧面射出，有效提升Mini-LED芯片发光角度。
简而言之，国星光电的Mini-LED芯片专利，通过棱台结构设计，可有效提升Mini-LED的发光角度，进而使得Mini-LED在大规格的屏幕上有着广泛应用。
国星半导体是国星光电的控股子公司，致力于研发、生产可用于照明、显示、背光的氮化镓基LED芯片。国星掌握了先进的LED外延材料和芯片的制造技术，其产品性能指标已达到国内先进水平。展望未来，国星半导体将继续研发创新，致力于成为LED芯片制造领先者。
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