三安光电积极调整产品结构,在Mini/Micro LED等方面加大投入

作者:未知时间:2019-08-26 来源:新浪

[摘要]三安光电(600703.SH)公布2019年半年报。在全球LED芯片市场整体经济规模增速放缓,行业分化进一步加剧,同行均出现亏损的产业链低谷期,三安光电尽展行业龙头姿态,持续保持盈利

    北京时间08月26日消息,中国触摸屏网讯,三安光电中报公布:加码5G布局,Mini/Micro LED产业化进程同步推进。三安光电(600703.SH)公布2019年半年报。在全球LED芯片市场整体经济规模增速放缓,行业分化进一步加剧,同行均出现亏损的产业链低谷期,三安光电尽展行业龙头姿态,持续保持盈利;虽然营收与净利润同比出现下滑,但二季度的下滑幅度较一季度已明显收窄。

    本文来自:http://www.51touch.com/lcd/news/dynamic/2019/0826/55025.html

为加快度过“行业阵痛期”,三安光电积极调整产品结构,不仅在Mini/Micro LED等方面加大投入,以实现在传统优势领域持续提升市场占有率的目标;还在化合物半导体领域开拓推广新产业应用,以增强公司盈利能力,并抢占5G商用大潮下的潜在市场风口。

从“芯”出发,Mini/Micro LED产业化进入快车道

中报披露已进入尾声,LED行业的上半年成绩单也随之浮出水面。

过去三年间,在政府补贴和企业的无序扩产下,LED芯片供给产能严重过剩,最终形成价格拉锯战,并进入库存出清的阵痛期;再叠加宏观环境和国际贸易形势的波及,今年上半年LED行业整体需求下行。

在产业链整体业绩承压、行业分化加剧的大背景下,三安光电上半年LED芯片数量较去年同期依旧保持增长趋势,且同行均出现亏损,其仍持续保持盈利,尽展行业龙头姿态;不过由于上半年LED芯片价格相比去年同期降幅较大,库存出清压力进一步加大,最终导致公司整体营收和实现的效益较去年出现了一定程度的下滑。中报数据显示,三安光电上半年营收为33.88亿元,同比下滑18.82%,净利润为8.83亿元,同比下降52.34%。

面对行业低谷和高库存,除了通过合理降低现有产品价格,有效引导库存商品销售外,三安光电还在产品结构上谋求转机,以尽快实现将公司LED芯片市场占有率提升至全球30%-40%的目标。今年7月29日,三安光电Mini/Micro LED芯片产业化项目在湖北鄂州葛店经济技术开发区正式启动。作为全球首个大规模基于第三代半导体、代表新型显示产业方向的光电芯片项目,总投资高达120亿元;项目将建成Mini/Micro LED氮化镓芯片、Mini/Micro LED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列的研发基地。

在5G商用的稳步推进下,高清视频产业链正在不断完善,以手机、电视为代表的高清终端作为产业链中的重要一环,或将迎来井喷式增长。显示屏是高清终端的“灵魂”,Mini LED背光显示屏无论是从画质、饱和度,还是对比度来看,都能达到4K、6K、8K的显示效果,且产品寿命和性价比也明显优于OLED显示方案。而Micro LED作为Mini LED的“进化体”,具有体积小、耗能低、可靠度高、亮度高等优点,更被誉为次世代的显示技术霸主。虽然当前阶段,Mini/Micro LED的整体市场营收规模不大,若一旦规模化应用,市场将具有广阔的空间。

三安光电极具前瞻性战略目光,早在2015年就已开始对Mini/Micro LED进行研发,此次产业化项目的正式落成,也意味着其Mini/Micro LED及其它高端产品的产业化进程进入快车道。三安光电也表示,Mini/Micro LED是公司未来重点发展方向之一,其将有利于改善公司产品结构、增强盈利能力,并在行业阵痛期帮助公司提升核心竞争力、巩固龙头地位。

剑指5G商机,抢先布局化合物半导体

除了在传统优势领域寻求新的突破外,三安光电还在强化自己化合物半导体领军企业的地位方面意图明显,以迎接5G、物联网时代。

据了解,5G通信要求广域覆盖、高速高宽带、低功耗大连接和低延时高可靠。5G需要全频段覆盖,可用通信频率需提升至6GHz-300GHz区间,这些技术场景对频射器件的性能,如功率、线性度、工作频率、效率、可靠性等提出了极高的要求,而以化合物半导体为材料的氮化镓(GaN)芯片和砷化镓(GaAs)芯片则能很好的契合5G的需求。

5G时代的来临,催生了化合物半导体材料需求的爆发。为抢占行业先机,早在2014年,三安光电就已成立了全资子公司——厦门市三安集成电路有限公司(以下简称“三安集成”),以聚焦化合物半导体芯片产业。2017年底,三安光电更是斥资333亿元在福建泉州芯谷建设项目,其中包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目,高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目,大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目等七大产业集群。而5G频射芯片,即氮化镓(GaN)芯片和砷化镓(GaAs)芯片,正是三安光电投资项目的重中之重。

目前,三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延芯片产线并投入量产,并打造出了国内第一个商用化和半导体晶圆代工制造平台。从整体行业格局上来看,三安光电是我国唯一一家有能力批量制造氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)外延和芯片的企业,具有明显的行业稀缺性。

眼下三安集成已取得国内重要客户的合格供应商认证,正逐步与行业标杆企业展开业务范围内的全面合作;其射频业务HBT、pHEMT代工工艺线已小批量供货,电力电子、光通讯、滤波器业务均在稳步推进。

有业内人士分析指出,2020年为5G技术商用的起点,但2020年通讯技术主要增长来源于4G渗透率的提升,在2030年前4G渗透率将逐渐放缓并达到峰值,因而5G的爆发点或在2020年只2025年之间。值得注意的是,三安光电在福建泉州芯谷的建设项目,按计划将在五年实现投产,七年全部达产,时间节点高度契合5G爆发期。

对于三安光电来说,5G就是下一个金库,而化合物半导体也将为其长远发展带来持续驱动力。
 

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