北京时间07月16日消息，中国触摸屏网讯，无需“巨量转移”的Micro LED晶片技术发表。由台湾中央大学光电系陈升晖教授带领的萌芽新创团队Microluce近期发表Micro LED磊晶技术，透过高能物理在低温状态下即可长出高品质氮化镓薄膜，完全抛弃主流的巨量转移制程，成本仅是现有微发光二极体显示器的十分之一，具有量产潜力，相关技术已获得了台湾及美国专利。

    本文来自：http://www.51touch.com/lcd/news/dynamic/2019/0716/54689.html

　　巨量转移是现今Micro LED显示器重要的步骤，已发展近十年，但该团队认为巨量转移是错误方向，主要因现今的LED晶粒须覆晶制程及结构弱化等程序，蓝绿光材料是氮化镓，红光材料是砷化镓，两种材料的驱动电压不同，驱动电路将造成困难，尤其成本考量上，坏点修复问题不易克服，因此难以量产。

　　该团队透过高能物理的方式，突破以往一千度以上的高温限制，在低温状态下即可长出高品质的氮化镓薄膜，温度可控制在500至700度左右;面版尺寸可从2英吋至12英吋，可随着制程设备等比例放大，并结合大数据分析，找出*磊晶模式。

　　现今巨量转移2K画素的MicroLED面板成本高于33万台币，该团队自主开发的磊晶板，搭配奈米材料技术可达到全彩化的微发光二极体显示效果，一片面板的成本仅现有的十分之一，深具量产潜力。
 

触摸屏与OLED网推出微信公共平台，每日一条微信新闻，涵盖触摸屏材料、触摸屏设备、触控面板行业主要资讯，第一时间了解触摸屏行业发展动态。关注办法：微信公众号“i51touch” 或微信中扫描下面二维码关注，或这里查看详细步骤