九州大学研发新技术使近红外OLED材料能够超越激子产生的100%限制

作者:51Touch时间:2018-07-11 来源:投影时代

[摘要]日本九州大学的研究人员日前开发出一种名为单线态裂变(singlet fission)的新技术,使近红外OLED材料能够超越激子产生的100%限制,或者说超过100%的内部量子效率(IQE)。

    北京时间07月11日消息,中国触摸屏网讯,九州大学研究员利用单线态裂变实现IQE>100%的近红外OLED发光体。日本九州大学的研究人员日前开发出一种名为单线态裂变(singlet fission)的新技术,使近红外OLED材料能够超越激子产生的100%限制,或者说超过100%的内部量子效率(IQE)。单线态裂变已经被用于OPV,但用于OLED尚属首次。

    本文来自:http://www.51touch.com/lcd/news/dynamic/2018/0711/50852.html

九州大学研究员利用单线态裂变实现IQE>100%的近红外OLED发光体
九州大学研究员利用单线态裂变实现IQE>100%的近红外OLED发光体
 

超越100%是可能的,因为在100% IQE时,所有电荷都会形成发光的激子。新技术将能量从高能激子分裂为两个低能激子。新的OLED发光材料使用的分子能在保留一半能量的同时将另一半能量转移给相邻分子,即每个单线产生2个三联体。发光体发射近红外光。

在他们的第一项研究中,研究人员的IQE达到了100.8%。通过对材料进行增强,IQE被提高到125%——这被认为是目前的极限值,因为OLED发光体产生25%单线态和75%三联体。研究人员还将研究如何将三联体转化为单线态,这可能将IQE提高到200%。

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