(1). 本司与MCK公司一起参展CHINANO 2014 的纳米技术应用产业大会和展览 2014.
时间: 2014年9月24至26曰
地点: 苏州国际博览中心6B馆
展位号: M7 & M8

(2). 纳米压印的设傋的需求:
   - 纳米压印工艺, 现已实用化在需要把精细纳米3D图案转印在基板上的应用, 日催增加.
   - 现MCK纳米压印设傋可以应用在纳米压印10寸的片材上, 已在设计及工艺上, 有肯定的掌握及生产技术, 压印出精准3D纳米图案..
   - 在20寸片材上, 正在全速地进行研发, 有进一步的消息, 当立即通知各尊贵客户.

(3). 在LED灯产业上:
   -  在PSS(Pattern Sapphire Substrate) 图案化蓝宝石基板生产上,
MCK公司能提供纳米压印设傋, 技术及材料. 凭着他们的高质量设傋, 先进技术及优质材料的配合下, 定可压印出精准的纳
   -  米图案化蓝宝石基板因而LED灯可增光30%, 对环保及节省能源, 有一定的帮助.

 

 
   -  现有新技术可以透过纳米压印来再堤高LED的效率, 是要把GaN晶体的位错降低. 在GaN晶体上先形成SiO2薄膜, 用纳米压印成几十个nm宽的小口, 并再生长GaN晶体. 这样就可领到SiO2薄膜下的GaN晶体的位错, 不会接触到上方的GaN晶体, 因而降低上方GaN晶体的位错, 此技术是确实可提升输出功率及延长LED寿命. MCK公司可提供适合及高效能的纳米压印设傋, 技术及材料, 作为实现生产高效能GaN晶体的好伙伴.
 
 

 

(4). 卷对卷纳米压印机:
   -  R2R纳米压印机, 可以大量复制树脂模具制成的一次性产品. 树脂模具的优点, 是可适合不平坦PSS(Pattern Sapphire Substrate) 图案化蓝宝石基板, 因而可降低4英寸晶圆的成本, 对LED灯售价减低, 增强产品市场兢争力..
   -  MCK在R2R纳米压印机设计及生产工艺上, 已快达到完成的阶段, 目前落定的卷宽为500mm. 如各位客户有些特定个俱体的要求, 可通知敝司并与MCK公司一起研发及尽快实现精准及高效能的机器出台.
  
(5). 在太阳能(PV) 工业上:
   -  MCK的纳米压印设傋, 技术及材料. 在PV的AR film (防反光薄膜) 上, 可减少光能反射的流失, 因而提高储电的功率. 因要有精准纳米压印图案的反射层, 才可有效地减低光反射率, 大大提高吸光率, 而增强转化能源的供率, 对环保能源效益, 有一定的帮肋.


 

 

(6). 二维纳米通道的制造方法:
   -  现可由Nanofluidic Channel(纳米控流)的方向去发展生物技术及精密生物傅感器的产生. 对于DNA Stretching(DNA分子拉伸) 研究及可印Protein(蛋白筫) 的技术大有帮肋.  现可以透过Nanoimprint Lithography(NIL)(纳米压印光刻), Nanoimprint(纳米压印方法),来生产二维纳米通道, 工艺相对简单, 加工设备不会非常昂贵, 低廉的成本及快加工速度.


 
 

 

(7). Toplogical Insulator(拓扑绝缘体):
   -  张首晟是(2014年度)-富兰克林(Franklin Medal\)物理奖的得奖华裔科学家, 拓扑绝缘体是他开创的全新研究领域. 可让薄膜材料(边缘可导电, 中间为绝缘体), 以前电子在芯片中移动, 像跑车在市集行驶, 不可发挥其高速行驶的功能, 有了拓扑绝缘体, 电子移动便可各自走不同的路, 互不干扰, 畅通无阻. 因而可能成为未来计算机持续进步的关键.
   -  (拓扑绝缘体)表面的Bismuth Selenide(Bi2Se3)(硒化铋)纳米坑槽通道(Nanostructure channel) 是可透过Nanoimprint (纳米压印) 的NIL(Nanoimprint Lithography)( 纳米压印光刻) 工序来种大范围(Bi2Se3) (硒化铋) 的拓扑绝缘体的基础.


图为张首晟开创的全新的研究领域——拓扑绝缘体

 

 

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